Discussion:
想請問一下...hspice可以量測gate leakage cur …
(时间太久无法回复)
supeross
2005-08-26 06:20:03 UTC
Permalink
※ 引述《***@bbs.ydu.edu.tw (前進必伴隨失去)》之銘言:
: 一般而言 , 我們要量測subthreshold current ,
: 都會故意給電晶體在weak inversion狀態 ,
: 但是 , 如果想看的是gate oxide leakage ,
: 如 gate->drain 或 gate->source 的tunnelling current...
: 那麼在hspice當中可以做到嗎 ?
: 或者需要什麼軟體才能模擬 ?
: 常看到國外的paper都可以明確把gate leakage current給量測出來 ...
: 所以才不禁想請問各位先學是否知道方法 ...

model 要有這個參數才模擬的出來,
像在tsmc .13um的model 裡,
就要把mos 寫成有gate leakage的subcircuit才會有這個東西.
umc 的model 就沒有gate leakage的model .

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.228.49.158
supeross
2005-08-27 08:20:02 UTC
Permalink
※ 引述《***@bbs.ydu.edu.tw (前進必伴隨失去)》之銘言:
: ※ 引述《***@ptt.cc (supeross)》之銘言:
: > model 要有這個參數才模擬的出來,
: > 像在tsmc .13um的model 裡,
: > 就要把mos 寫成有gate leakage的subcircuit才會有這個東西.
: > umc 的model 就沒有gate leakage的model .
: 抱歉 , 由於對於有gate leakage的subcircuit不是很能理解 ,
: 所以想再請教一下 ,
: 有gate leakage的subcircuit是指我們.lib時呼叫特定的mos元件 ?
: 而某種元件有特別提供gate leakage的量測model ?

對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.

: 還是指 , 當電路連結成某特定形式時 , 可以下參數指令量測 ?
: 由於目前我只有碰過0.18um的 , 0.13um的 ... 大概要等開學了 = . ="
: 如果我有些問題問得不是很能切中核心 ,
: 還請見諒 ... @@"

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.230.239.189
※ 編輯: supeross 來自: 61.230.239.189 (08/28 00:20)
i***@ptt.cc
2005-08-27 13:54:37 UTC
Permalink
※ 引述《supeross (supeross)》之銘言:
: ※ 引述《***@bbs.ydu.edu.tw (前進必伴隨失去)》之銘言:
: : 抱歉 , 由於對於有gate leakage的subcircuit不是很能理解 ,
: : 所以想再請教一下 ,
: : 有gate leakage的subcircuit是指我們.lib時呼叫特定的mos元件 ?
: : 而某種元件有特別提供gate leakage的量測model ?
: 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
: 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
: : 還是指 , 當電路連結成某特定形式時 , 可以下參數指令量測 ?
: : 由於目前我只有碰過0.18um的 , 0.13um的 ... 大概要等開學了 = . ="
: : 如果我有些問題問得不是很能切中核心 ,
: : 還請見諒 ... @@"
請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎?
我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明,
是這個process 沒有做嗎?

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 67.100.81.170
多勞才能變能者
2005-08-28 10:30:59 UTC
Permalink
※ 引述《***@ptt.cc ()》之銘言:
: ※ 引述《supeross (supeross)》之銘言:
: : 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
: : 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
: 請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎?
: 我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明,
: 是這個process 沒有做嗎?

我只知道這製程裡面有Monte Carlo simulation model
查document查了老半天找不到
後來無聊直接把製程檔打開看看
才找到的=.=
--
╭──── Origin:<不良牛牧場> bbs.badcow.com.tw (210.200.247.200)─────╮
│  ↘ Welcome to SimFarm BBS -- From : [210.192.225.73] │
╰◣◣◢ ◢◢《不良牛免費撥接→電話:40586000→帳號:zoo→密碼:zoo》 ◣◣◢ ─╯
andy
2005-08-28 14:13:55 UTC
Permalink
Post by i***@ptt.cc
※ 引述《supeross (supeross)》之銘言:
: 對啊, 在tsmc .13um的model 下就是這樣.
: 可以只對某幾顆你覺得重要的mos 模擬gate leakage.
請問您有用過TSMC 0.18um RF的製程嗎?
0.18um logic & RF
應該只差在 top metal (方便做 電感
只是 lpe能抽出 spiral 電感嗎
而且 q高嗎 ??? )

其他都大同小異
了不起多個 MiM cap
Post by i***@ptt.cc
我讀了PDK document後並沒有找到有關gate leakage的說明,
是這個process 沒有做嗎?
hspice 不是可以使用
lx21
lv19 ..

看Isub Cap..

不過 有些model 不見得會有

gate Leakage 好像 hspice 不能直接看 吧
--
* Origin: ★ 交通大學資訊科學系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>
继续阅读narkive:
Loading...