supeross
2005-08-26 06:20:03 UTC
※ 引述《***@bbs.ydu.edu.tw (前進必伴隨失去)》之銘言:
: 一般而言 , 我們要量測subthreshold current ,
: 都會故意給電晶體在weak inversion狀態 ,
: 但是 , 如果想看的是gate oxide leakage ,
: 如 gate->drain 或 gate->source 的tunnelling current...
: 那麼在hspice當中可以做到嗎 ?
: 或者需要什麼軟體才能模擬 ?
: 常看到國外的paper都可以明確把gate leakage current給量測出來 ...
: 所以才不禁想請問各位先學是否知道方法 ...
model 要有這個參數才模擬的出來,
像在tsmc .13um的model 裡,
就要把mos 寫成有gate leakage的subcircuit才會有這個東西.
umc 的model 就沒有gate leakage的model .
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.228.49.158
: 一般而言 , 我們要量測subthreshold current ,
: 都會故意給電晶體在weak inversion狀態 ,
: 但是 , 如果想看的是gate oxide leakage ,
: 如 gate->drain 或 gate->source 的tunnelling current...
: 那麼在hspice當中可以做到嗎 ?
: 或者需要什麼軟體才能模擬 ?
: 常看到國外的paper都可以明確把gate leakage current給量測出來 ...
: 所以才不禁想請問各位先學是否知道方法 ...
model 要有這個參數才模擬的出來,
像在tsmc .13um的model 裡,
就要把mos 寫成有gate leakage的subcircuit才會有這個東西.
umc 的model 就沒有gate leakage的model .
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