Discussion:
[問題] 請問關於DRAM技術架構
(时间太久无法回复)
無奈且無力
2006-07-23 02:28:04 UTC
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想請問DRAM架構上
有分 溝渠 Trench 和 堆疊 Stack

這兩種的技術差異性在哪
還有其效能有差嗎 成本呢?

希望大家幫個忙回答了 謝謝

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 218.175.34.111
andy
2006-07-24 13:49:10 UTC
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Post by 無奈且無力
想請問DRAM架構上
有分 溝渠 Trench 和 堆疊 Stack
這兩種的技術差異性在哪
還有其效能有差嗎 成本呢?
希望大家幫個忙回答了 謝謝
請看今天電子時報

trech 當 process小 挖個溝深 和孔大小
受影響 不夠深 就電容會不夠大

所以 先進的 process 都使用 stack

cost 都須要授權拉
如果 以老點 process 來看 trench 比 stack 小

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* Origin: ★ 交通大學資訊科學系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>
小賤
2006-07-30 05:05:46 UTC
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�򥻤Wtrench�n�Τ������`�e����etch�s�{

�����X�q�e �A���q����,�ҥH�q�e�����q���j�h�n��oxide�Ӱ�

�~���|�b���q������,�⤶�q�����a

stack�覡��dram,���~�G�O���W��poly,�ΨϥΦh�hpoly

�]���q�����O���Q���X�Ӫ�,�ҥH�b�᭱���s�{�N�i�H�Τ����C�Ū��s�{

���Ohigh-k�����ƴN�i�H�Q���Өϥ�,���򥻤W�o�覡��dram���n�����j

�b�Y�Ǥ��m�Wtrench��dram,�i�H���q�e���b�q���骺���U��

�ҥH���n�i�H�����̤p,���O�s�{�W�٤��O�ܰ���!

���M�]���G�̪��V�X��,�Ϲq�e�ȥ[�j

�ܩ��į��W,�]���G��Ū�g���覡�O�@�˪�,�ҥH��ӭn�ݦU�a�s�{���|�q�q�өw


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: > �Q�а�DRAM�[�c�W
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