請問一個半導體載子傳輸問題

[銅鑼衛門]

若溫度上升時半導體的電阻會下降電流會上升
但今天讀了遷移率(mobility)它寫說
溫度上升 遷移率下降 導電率下降
這樣電流不是就變小了嗎?
請知道的大大幫我解惑一下
謝謝~~
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※ Origin: 臺大電機 Maxwell 站 ◆ From: 59-105-83-99.adsl.dynamic.seed.net.tw

[喵的啦]

Post by 銅鑼衛門
若溫度上升時半導體的電阻會下降電流會上升
但今天讀了遷移率(mobility)它寫說
溫度上升 遷移率下降 導電率下降
這樣電流不是就變小了嗎?
請知道的大大幫我解惑一下
謝謝~~

溫度上升 跳上導帶的電子數會變多...


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※ Origin: 楓橋驛站<bbs.cs.nthu.edu.tw> ◆ From: 218-168-49-60.dynamic.hinet.net

[Ich liebe tagsky]

※ 引述《***@bbs.ee.ntu.edu.tw (銅鑼衛門)》之銘言：
: 若溫度上升時半導體的電阻會下降電流會上升
: 但今天讀了遷移率(mobility)它寫說
: 溫度上升 遷移率下降 導電率下降
: 這樣電流不是就變小了嗎?
: 請知道的大大幫我解惑一下
: 謝謝~~
: 謝謝~~
mobility主要受三個東西的影響 : 電場 , 溫度 , 雜質濃度
電場:(以Si的電子為例)
v=uE
電場越大,電子的速度會飽和,所以mobility會跟著變小

溫度與雜質濃度:lattice scattering , ionized impurity scattering
高於室溫:lattice scattering 為主
溫度越高,晶體震動越大,晶體似乎也變大了,電子越不容易在晶體內移動,電子速度變慢了
所以lattice scattering dominate的時候
mobility會隨著溫度升高而變小
mobility和T^-1.5成正比

低於室溫:ionized impurity scattering為主
溫度越高,電子能量越大,越容易移動,電子速度變快了
所以ionized impurity scattering dominate的時候
mobility會隨著溫度升高而變大
mobility和T^1.5成正比
mobility和雜質濃度成反比

應該是這樣沒錯..............

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